Dr. Gianpietro Moras, Dr. Thomas Reichenbach, Prof. Dr. Michael Moseler
Ungeschmierte tribologische Grenzflächen zwischen siliziumbasierten Keramiken wie Siliziumnitrid (Si3N4) oder Siliziumkarbid weisen hohe Reibung und hohen Verschleiß auf. Eine Lösung dieses Problems ist, die Keramik mit einer Gegenfläche aus wasserstoffhaltigem amorphem Kohlenstoff (a-C:H) zu kombinieren. Von dieser kann eine passivierende Kohlenstoffschicht auf die Keramikoberfläche übertragen werden. Die Mechanismen, die diesem Filmtransfer zugrunde liegen, und die Bedingungen, die ihn begünstigen, waren bis jetzt jedoch weitestgehend ungeklärt.
Wissenschaftlerinnen und Wissenschaftler des MikroTribologie Centrums µTC und der École Centrale de Lyon untersuchten diese Fragestellung gemeinsam. In einer kürzlich erschienenen, aus dieser Kooperation resultierenden, wissenschaftlichen Veröffentlichung werden Reibungsexperimente im Ultrahochvakuum diskutiert, bei denen Reibungskoeffizienten unter 0,01 beim Reiben von Si3N4 gegen a-C:H mit einem Wasserstoffgehalt von 36 at. % gemessen wurden. Im Gegensatz dazu erhöht sich der Reibungskoeffizient auf über 0,7, einhergehend mit hohem Verschleiß, wenn der Wasserstoffgehalt der a-C:H-Schicht auf 20 at. % reduziert wird (vgl. Abbildung).
Durch chemische Oberflächenanalysen konnte bestätigt werden, dass sich die supraschmierende Reibgrenzfläche durch den Transfer eines Kohlenwasserstoff-Nanofilms auf der Si3N4-Oberfläche gebildet hat. Mittels atomistischer Simulationen konnte gezeigt werden, dass ein passivierender a-C:H-Transferfilm nur dann erfolgreich übertragen wird, wenn nach dem anfänglichen Kaltverschweißen der Keramik und der a-C:H-Schicht die plastische Scherverformung innerhalb der a-C:H-Schicht lokalisiert ist. Dies ist nur dann der Fall, wenn die Scherfestigkeit von a-C:H geringer ist als die der Keramik und die der a-C:H-Keramik-Grenzfläche (vgl. Abbildung). Dazu muss der Wasserstoffgehalt der a-C:H-Schicht zwischen ∼30 und ∼50 at. % liegen.
Während bisher bekannt war, dass ein hoher Wasserstoffgehalt für eine effiziente Selbstpassivierung von a-C:H-Oberflächen im Vakuum erforderlich ist, zeigt diese Arbeit, dass der Wasserstoffgehalt auch für die Bildung eines stabilen a-C:H-Transferfilms entscheidend ist. Interessanterweise lassen sich diese Ergebnisse auch auf Glas, Siliziumcarbid und Stahl übertragen, was die Allgemeingültigkeit des vorgeschlagenen Mechanismus hervorhebt.
Weitere Informationen zur Veröffentlichung finden Sie unter dem folgenden Link:
Kuwahara, T.; Long, Y.; Sayilan, A.; Reichenbach, T.; Martin, J. M.; De Barros Bouchet, M. I.; Moseler, M.; Moras, G., Superlubricity of silicon-based ceramics sliding against hydrogenated amorphous carbon in ultrahigh vacuum: Mechanisms of transfer film formation, ACS Applied Materials & Interfaces 16/6 (2024) 8032-8044 Link
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